MWI75-12T7T 时间：2025/8/6 4:55:45 阅读：27

MWI75-12T7T 是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）生产的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，主要用于高功率应用。这款模块集成了多个IGBT器件以及反并联二极管，适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统，例如工业电机驱动、可再生能源系统以及电能质量调节设备。

参数

类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　最大工作频率：20kHz
　　热阻（RthJC）：约0.35°C/W

特性

MWI75-12T7T 具有优异的电气性能和热管理能力，能够承受较高的工作温度和电流应力。其集成的IGBT器件采用先进的沟道技术，提供较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，模块内置反并联二极管，可用于续流和能量回馈应用，增强了系统的灵活性和稳定性。该模块还具备良好的短路保护能力，能够在异常情况下保护器件不受损坏，延长使用寿命。
　　从封装角度来看，MWI75-12T7T 采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热。其热阻（RthJC）约为0.35°C/W，意味着在工作过程中能够有效地将热量传导至散热器，减少热积累，确保器件在高负载下稳定运行。此外，该模块的高绝缘性能和紧凑设计使其适用于空间受限的高功率应用，同时提供了较高的可靠性和耐用性。

应用

MWI75-12T7T 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统。常见应用包括工业电机驱动（如变频器和伺服驱动器）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电能质量调节设备（如有源滤波器和不间断电源UPS）以及电动汽车充电系统。在这些应用中，MWI75-12T7T 能够提供高效的能量转换和稳定的电气性能，满足现代工业和能源系统对高可靠性和高效能的需求。