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MWI50-12E6K 发布时间 时间:2025/8/6 8:31:19 查看 阅读:19

MWI50-12E6K是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于电力电子设备中。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗特性和BJT的低导通压降特性,能够高效地处理高电压和高电流。MWI50-12E6K专为工业应用设计,适用于变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)以及新能源系统等场景。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):50A
  最大工作温度:150°C
  封装形式:双列直插式(DIP)
  短路耐受能力:有
  热阻(Rth):典型值2.5 K/W
  绝缘等级:符合UL 94 V-0标准
  工作温度范围:-40°C至+150°C

特性

MWI50-12E6K模块采用了先进的IGBT芯片技术,具备出色的导通和开关特性。该模块的导通压降低,有助于减少功率损耗,提高系统效率。其高短路耐受能力确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。模块内部集成了续流二极管,进一步简化了外围电路设计。
  MWI50-12E6K具有优异的热性能,热阻低,有助于将热量迅速散发,从而提高模块的可靠性。该模块还具备较高的绝缘等级,适用于需要电气隔离的应用场景。此外,它的工作温度范围宽,可在恶劣环境中稳定运行。
  在封装方面,MWI50-12E6K采用双列直插式封装,便于安装和维护。其结构设计优化,增强了机械强度和耐用性,适用于各种工业设备。模块的引脚排列合理,简化了PCB布局,提高了系统的整体性能。

应用

MWI50-12E6K模块广泛应用于工业自动化设备、变频器、伺服驱动器、电动车辆的电力系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)以及家电控制等领域。由于其高可靠性和优异的性能,该模块也可用于要求较高的电机控制和功率转换系统。

替代型号

CM600HA-24H, SKM50GB12T4, FF50R12KS4P5

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MWI50-12E6K参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.9V @ 15V,35A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)51A
  • 电流 - 集电极截止(最大)300µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)2nF @ 25V
  • 功率 - 最大210W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E1
  • 供应商设备封装E1