时间：2025/8/6 10:19:36
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MWI50-06A7是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率模块，专为高效率、高功率应用而设计。该器件采用了先进的半导体技术，具有良好的导通和开关性能，适用于需要高可靠性和高效能的工业和电源系统。
类型：MOSFET模块
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.15Ω
封装类型：绝缘双列直插式（SiP）
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电压（Vgs）：±20V
MWI50-06A7采用先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，从而减少了导通损耗和开关损耗。其高耐压特性使其适用于多种高电压应用场景。该模块具有良好的热性能，能够在高电流条件下稳定运行，并且具有较高的可靠性和长寿命。此外，其紧凑的封装设计节省了PCB空间，便于系统集成和散热管理。
该器件的栅极驱动设计简单，能够与多种控制器和驱动器兼容，方便用户进行电路设计和优化。其高耐压能力和过载能力使得该器件能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
MWI50-06A7广泛应用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电池管理系统以及其他需要高功率密度和高可靠性的系统中。
IXFN50N60P, FDPF50N60
