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MWI450-12E9 发布时间 时间:2025/8/6 6:22:33 查看 阅读:20

MWI450-12E9是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的功率MOSFET模块,专为高功率应用设计。该模块结合了高效率和紧凑的封装,适用于工业电机驱动、电源转换、UPS系统和电动汽车充电设备等多种高功率场景。该模块采用先进的沟道技术,提供较低的导通电阻和优异的开关性能,从而降低系统损耗,提高整体效率。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电流(ID):450A
  最大漏源电压(VDS):1200V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为2.2mΩ
  封装形式:模块封装(具体尺寸依据数据手册)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装材料:绝缘陶瓷基板与塑料外壳结合
  安装方式:螺钉安装或散热器固定

特性

MWI450-12E9功率MOSFET模块具有多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻确保了在高电流工作条件下的低功率损耗,提高了系统的整体能效。其次,模块采用先进的封装技术,具备良好的热管理和绝缘性能,能够在高温环境下稳定运行。此外,该模块具有优异的短路和过载保护能力,提升了系统的可靠性和安全性。模块化的封装设计也便于安装和维护,降低了系统的复杂性和维护成本。最后,其宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣的工业环境。
  在电气性能方面,该模块支持高达450A的漏极电流和1200V的漏源电压,适用于高功率密度设计。其快速开关特性也使其在高频应用中表现出色,减少了开关损耗并提高了响应速度。

应用

MWI450-12E9广泛应用于需要高功率、高效率和高可靠性的系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源逆变器(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备、电焊机和高功率DC-DC转换器。由于其出色的热管理和电气性能,该模块也适用于需要高频率开关的电源转换系统。

替代型号

SKM450GB12T4AG
  FF450R12ME4
  IXYS IXGN450N120T2B1

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MWI450-12E9参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,450A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)640A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)33nF @ 25V
  • 功率 - 最大2200W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E+
  • 供应商设备封装E+