MVU18BCX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的技术制造,具备低导通电阻(Rds(on))、高效率和优异的热性能,适用于各种高频率、高效率的开关应用。MVU18BCX 通常采用 SuperSO-8 或其他表面贴装封装形式,便于在紧凑的 PCB 设计中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):18A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):约 2.8mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD):40W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SuperSO-8
MVU18BCX 具备多项优异的电气和热性能,使其在高性能电源设计中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。该器件的高电流承载能力(18A)使其适用于中高功率应用,如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。此外,MVU18BCX 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,从而在高频开关应用中保持高效率。其高耐压能力(30V)为设计提供了足够的电压裕量,适用于多种电源拓扑结构。SuperSO-8 封装形式具备良好的散热性能,有助于维持器件在高负载下的稳定运行,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产和 PCB 空间优化。
在可靠性方面,MVU18BCX 设计有良好的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定工作。此外,其栅极氧化层具备高耐用性,能够承受频繁的开关操作而不易损坏。这些特性使得 MVU18BCX 成为工业电源、服务器电源、电池管理系统(BMS)、电动工具以及汽车电子等应用中的理想选择。
MVU18BCX 主要用于需要高效率、高频率和紧凑设计的功率转换系统。常见的应用包括同步降压和升压转换器、DC-DC 模块、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的电源模块。在服务器和通信设备的电源管理子系统中,MVU18BCX 也常用于提高系统整体能效和功率密度。由于其具备良好的热管理和高频响应能力,该器件还可用于 LED 照明驱动器、便携式充电设备以及智能功率分配系统。在汽车电子领域,MVU18BCX 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块中的电源管理部分。
SiR142DP-T1-GE、IRF7413PBF、FDMS8878、NVMD18N10CLFTAG、SQJ408E