MVTX2604AG 时间：2025/7/22 3:48:16 阅读：14

MVTX2604AG是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率和高频应用，例如在电源转换器、电机驱动和工业控制电路中。其设计旨在提供高效率、高可靠性和良好的热稳定性，适用于需要处理大电流和高电压的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.2Ω
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　最大功耗（PD）：50W

特性

MVTX2604AG具有多种优良的电气和物理特性，使其在工业和高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏极电流为4A，最大漏源电压为600V，这使其能够有效地处理高电压和高电流负载，适用于各种高功率场景。此外，其栅源电压范围为±30V，提供了良好的栅极控制能力，并防止栅极氧化层击穿。
　　其次，MVTX2604AG的导通电阻（RDS(on)）典型值为2.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。同时，该MOSFET采用了TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。
　　此外，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其适用于各种恶劣的环境条件。最大功耗为50W，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。

应用

MVTX2604AG广泛应用于多个高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制电路、照明系统以及工业自动化设备。由于其高耐压和高电流能力，该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场合。此外，它也常用于逆变器和变频器中，以驱动交流或直流电机。在消费电子和工业设备中，该器件还被用于负载开关、电池管理系统和功率放大器等电路。