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MVTX2604AG 发布时间 时间:2025/7/22 3:48:16 查看 阅读:1

MVTX2604AG是一款由Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的功率晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件主要用于高功率和高频应用,例如在电源转换器、电机驱动和工业控制电路中。其设计旨在提供高效率、高可靠性和良好的热稳定性,适用于需要处理大电流和高电压的场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为2.2Ω
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  最大功耗(PD):50W

特性

MVTX2604AG具有多种优良的电气和物理特性,使其在工业和高功率应用中表现出色。
  首先,该器件的最大漏极电流为4A,最大漏源电压为600V,这使其能够有效地处理高电压和高电流负载,适用于各种高功率场景。此外,其栅源电压范围为±30V,提供了良好的栅极控制能力,并防止栅极氧化层击穿。
  其次,MVTX2604AG的导通电阻(RDS(on))典型值为2.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。同时,该MOSFET采用了TO-220封装,具有良好的散热性能,确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。
  此外,该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明其适用于各种恶劣的环境条件。最大功耗为50W,进一步增强了其在高功率应用中的适用性。

应用

MVTX2604AG广泛应用于多个高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、照明系统以及工业自动化设备。由于其高耐压和高电流能力,该MOSFET特别适用于需要高效能和高可靠性的电源管理场合。此外,它也常用于逆变器和变频器中,以驱动交流或直流电机。在消费电子和工业设备中,该器件还被用于负载开关、电池管理系统和功率放大器等电路。

替代型号

2SK2645, 2SK1530, 2SK2141

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