时间：2025/8/17 12:42:57
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MVQ210017 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于高频率开关应用。MVQ210017 采用紧凑型 PowerPAK? 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4.9A
导通电阻 RDS(on)：17mΩ @ VGS = 10V
导通电阻 RDS(on)：21mΩ @ VGS = 4.5V
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerPAK SC-70
MVQ210017 具备多项优异特性，使其适用于各种高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS = 10V 时，RDS(on) 仅为 17mΩ，而在较低的 VGS = 4.5V 时，RDS(on) 也仅为 21mΩ，使其适用于多种栅极驱动电路。
其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽式工艺，优化了导通性能和开关速度，适用于高频开关应用。其快速的开关特性可减少开关损耗，提高整体系统性能。此外，MVQ210017 的 PowerPAK SC-70 封装具备优良的热管理能力，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的可靠性和使用寿命。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在严苛的电气环境下稳定运行。此外，其 ±20V 的栅极电压耐受能力使其在栅极驱动设计中具备更高的灵活性和安全性。
由于其小尺寸封装和高性能参数，MVQ210017 适用于空间受限但要求高性能的便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化设备等应用场景。
MVQ210017 主要应用于需要高效率、小型化设计的电源管理系统。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、升压/降压变换器、负载开关、电池充电电路、电机驱动器以及各种低电压高电流控制电路。由于其优异的导通特性和紧凑的封装，该器件在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及工业控制系统中得到了广泛应用。
在 DC-DC 转换器中，MVQ210017 可作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减小电路尺寸。在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制充放电路径，实现高效的能量管理。此外，它还可用于驱动小型电机、LED 照明系统以及各类低电压功率开关电路。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTD14N03RT
