时间：2025/9/10 7:07:28
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MVK35VC100M 是一款由 Vishay 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高效的开关性能。MVK35VC100M 主要设计用于工业电源、DC-DC 转换器、电机控制以及汽车电子系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：约8.5mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：170W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
漏源击穿电压(BVdss)：100V
输入电容(Ciss)：约1200pF
反向恢复时间(trr)：约40ns
MVK35VC100M 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗并提高系统效率。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下运行。此外，该器件具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
这款 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力，使其在面对突发电压冲击时仍能保持稳定运行。其封装形式为 TO-220AB，便于安装和散热管理，适合多种 PCB 设计和应用需求。
此外，MVK35VC100M 的栅极驱动要求较低，支持与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计，降低了系统复杂性。
MVK35VC100M 常用于多种高功率和高频应用场景，包括但不限于：工业电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高效的导通性能和稳定的开关特性使其成为现代电源管理和功率电子系统中的关键元件。
SiHH35N100D、IRF3710、IPB08N10N、FDMS86180、STP35NF10
