类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220

MV18BCX-BOTTLE MOSFET 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的漏极-源极电压（Vds）为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中高功率电源系统。其连续漏极电流（Id）为 18A，允许在较高的电流条件下运行，适用于需要高电流能力的电机驱动和功率转换应用。
　　其次，该 MOSFET 的栅极-源极电压（Vgs）为 ±20V，提供了较大的栅极驱动电压范围，有助于提高开关速度并降低导通损耗。此外，该器件的最大功耗为 150W，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　TO-220 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度和电气绝缘性能，适用于工业和高可靠性应用场景。MV18BCX-BOTTLE 还具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常在几毫欧范围内，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，能够减少开关损耗，提高整体系统的能效。
　　在可靠性方面，MV18BCX-BOTTLE 设计用于在 -55°C 至 175°C 的宽温度范围内工作，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。其坚固的结构设计和优良的封装材料使其具备良好的抗冲击和抗振动能力，适用于各种严苛的应用场景。

MV18BCX-BOTTLE 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。由于其高电流能力和良好的热管理性能，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的电源设计。

IRFZ44N, FDPF18N50, FQP18N50C, STP18NF50, IXFH18N50C2