类型：双极型电压控制变容二极管
　　电容范围（Cmin - Cmax）：1.0 pF - 10.0 pF
　　最大反向电压：20 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（3引脚）
　　额定功率：300 mW
　　频率范围：最高可达 1 GHz
　　电容比（Cmax/Cmin）：约 10:1
　　隔离度（典型值）：25 dB @ 1 MHz

MV16VC101MF55TP 的主要特性之一是其宽广的电容调节范围，能够在较小的电压变化范围内实现较大的电容变化，这使其非常适合用于高精度的调谐系统。该器件的两个独立变容二极管可以分别控制，提供更高的设计灵活性。此外，MV16VC101MF55TP 具有低串联电阻（Rs）和高Q值，这有助于减少信号损耗，提高电路的整体效率。其SOT-23封装形式小巧，适合在空间受限的电路板设计中使用，并具有良好的热稳定性和机械强度。器件的反向漏电流极低，确保在宽温度范围内仍能保持稳定的电容特性。
　　另一个重要特性是其优异的线性度和低失真性能，这使得MV16VC101MF55TP适用于高保真度的射频和微波通信系统。此外，该器件具有良好的温度稳定性，即使在极端温度条件下也能维持电容值的一致性，从而避免了额外的温度补偿电路需求。

MV16VC16VC101MF55TP 主要用于射频和微波电路中的电压可变电容控制。典型应用包括频率合成器中的VCO（压控振荡器）调谐、射频滤波器和匹配网络的自动调谐、天线阻抗匹配、射频开关和衰减器的控制电路。该器件也可用于无线通信设备中的本地振荡器调节、卫星通信系统、雷达系统以及测试和测量仪器中的可变电容元件。此外，在音频和视频设备中，MV16VC101MF55TP 可用于频率调制电路和调谐放大器。由于其高稳定性和低损耗特性，该器件也广泛应用于军事和航空航天领域的高频电子系统中。

BB109S, MV209, SMV1233, BB212