最大重复峰值反向电压(VRRM)：100V
　　最大平均整流电流(IO)：1.5A
　　正向压降(VF)：1.1V（最大值，@1.5A）
　　峰值正向浪涌电流(IFSM)：30A
　　反向漏电流(IR)：5uA（最大值，@100V）
　　恢复时间(trr)：35ns（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：SMB（DO-214AA）

MURS160-TR 的主要特性之一是其快速恢复时间，通常在35ns以内，使其非常适合用于高频整流应用。其低正向压降（最大1.1V）有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件还具备较高的浪涌电流承受能力，能够承受高达30A的瞬时电流冲击，增强了其在复杂电源环境中的可靠性。
　　采用SMB表面贴装封装，MURS160-TR不仅节省空间，而且具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动贴片机和回流焊工艺，提高了生产效率和装配可靠性。此外，该器件的反向漏电流极低（最大5uA），在高温条件下仍能保持稳定的性能，适合用于对漏电流敏感的电路设计。
　　该二极管的工作温度范围为-55℃至+150℃，满足工业级温度要求，适用于各种恶劣环境下的电子设备。由于其优异的电气特性和封装优势，MURS160-TR广泛应用于现代电力电子系统中，如电源适配器、LED驱动电源、工业控制设备和通信设备等。

MURS160-TR 主要应用于高频开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC整流电路、电池充电器、逆变器、LED照明驱动电源、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中的整流和续流保护电路。其快速恢复特性和高浪涌电流承受能力，使其在高效率和高频率的电源设计中表现出色。

MURS160T3G, MURS160, MUR160, 1N4937