时间：2025/4/30 12:12:08
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MURS130T3G 是一款肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），由 ON Semiconductor 公司生产。该器件具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适合用于高频开关应用以及效率要求较高的电路中。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够提供较高的电流承载能力和良好的散热性能。
该二极管在电源整流、续流二极管、极性保护、太阳能电池板旁路保护等场景中有广泛应用。
最大正向电流：8A
峰值反向电压：40V
正向电压（典型值）：0.47V
反向恢复时间：35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
热阻（结到外壳）：35°C/W
封装类型：TO-252 (DPAK)
MURS130T3G 的主要特性包括：
1. 超低的正向电压降，有助于减少功耗并提高整体系统效率。
2. 快速的反向恢复时间（35ns），使其非常适合高频开关应用。
3. 高额定电流（8A）和适中的反向耐压（40V），适用于多种功率转换场景。
4. TO-252 封装具备出色的散热能力，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和安装。
5. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境下的应用需求。
MURS130T3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的整流和续流功能。
2. 电机驱动器中的续流保护。
3. 太阳能光伏系统的旁路二极管。
4. 汽车电子中的极性保护和负载切换。
5. 各类高频逆变器和功率变换模块中的关键元件。
6. 快速充电器和其他便携式设备的电源管理电路。
MURS120T3G
MURS140T3G
MUR120T3
MUR130T3
