型号：MURS120TR
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　生产商：ON Semiconductor
　　最大重复反向电压(VRRM)：100V
　　最大直流阻断电压(VR)：100V
　　平均整流电流(IO)：1A
　　峰值浪涌电流(IFSM)：30A
　　正向压降(VF)：典型值0.875V（在1A, 25°C条件下）
　　最大反向漏电流(IR)：500μA（在100V, 125°C条件下）
　　反向恢复时间(trr)：典型值35ns
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到环境(RθJA)：约150°C/W
　　安装方式：表面贴装(SMT)

MURS120TR具备优异的电气特性和可靠性，特别适用于高效率开关电源设计。其核心特性之一是超快反向恢复时间（trr典型值为35ns），这一性能显著降低了开关过程中的能量损耗，减少了电磁干扰（EMI）的产生，从而提升了整个电源系统的转换效率。与传统整流二极管相比，MURS120TR在高频工作环境下表现更优，能够有效抑制反向恢复引起的电压尖峰，避免对主开关器件（如MOSFET或IGBT）造成应力损伤。
　　该器件采用了先进的平面技术与金属硅接触工艺，实现了稳定的电特性与长期可靠性。尽管它不是严格意义上的肖特基二极管，但其正向导通压降较低（典型值0.875V @ 1A），在保持较高反向耐压的同时兼顾了导通损耗的优化。这种“超快软恢复”特性使得其在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中尤为适用，能够有效减少噪声并提升系统稳定性。
　　MURS120TR还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，可承受高达30A的峰值浪涌电流，确保在电源启动或负载突变时不会发生失效。其SMA封装形式体积小巧，适合紧凑型PCB布局，并支持回流焊工艺，便于自动化生产。此外，该器件通过了AEC-Q101车规级可靠性认证的部分测试项目，表明其在恶劣环境下的运行稳定性较强，可用于部分汽车电子应用。
　　由于其出色的反向恢复行为和较低的开关损耗，MURS120TR常被用于DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动电源以及逆变器等设备中。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在高温工业环境中可靠运行。综合来看，MURS120TR是一款兼具高性能与高可靠性的表面贴装整流二极管，适用于多种中低压、高频应用场景。

MURS120TR广泛应用于各类开关电源拓扑结构中，包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）、半桥和全桥变换器等。由于其具备快速反向恢复能力和较低的正向压降，常被用作次级侧同步整流或输出整流二极管，尤其适用于12V至48V输出的AC-DC适配器、充电器和小型电源模块。在DC-DC转换器中，该器件可用于非隔离式BUCK或BOOST电路的续流路径，提供高效的能量回馈通道。
　　此外，MURS120TR也常见于功率因数校正（PFC）电路中，特别是在临界导通模式（CrM）或连续导通模式（CCM）PFC升压二极管位置，其软恢复特性有助于降低EMI噪声，提高系统整体效率。在LED照明驱动电源中，该器件可用于隔离型反激拓扑的输出整流环节，确保高光效与长寿命。
　　工业控制设备中的传感器电源、PLC供电模块以及通信基站的辅助电源也常采用MURS120TR进行整流处理。得益于其表面贴装封装和高可靠性，该器件同样适用于车载信息娱乐系统、电动车充电模块以及其他需要紧凑设计和稳定性能的汽车电子应用。另外，在太阳能微型逆变器、UPS不间断电源和电机驱动电路中，MURS120TR也能发挥其高效整流的优势。

MURS120
　　MURS1100
　　STTH1R06U
　　VS1X100FN3