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MURS105T3G 发布时间 时间:2025/5/9 12:04:01 查看 阅读:6

MURS105T3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的超快速恢复整流器。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,具有低正向压降和快速反向恢复时间的特性,适合高频开关应用。其典型应用场景包括电源电路中的续流二极管、DC-DC 转换器以及开关电源等。该芯片能够在高频条件下提供高效的性能表现。
  这款超快速恢复整流器凭借其优异的反向恢复时间和较低的功耗,在现代电子设备中被广泛使用。此外,由于其坚固的设计和较高的额定电压,它能够胜任各种严苛环境下的工作。

参数

最大重复峰值反向电压:50V
  最大平均正向电流:1A
  典型正向电压:0.85V(@ If=1A)
  最大反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55°C to +175°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  功耗:1W

特性

MURS105T3G 的核心特性在于它的快速反向恢复时间,仅为 35 纳秒,这使其非常适合高频应用。同时,该器件具备较低的正向电压降(在 1A 时约为 0.85V),从而减少功率损耗并提高整体效率。
  该元器件还具有出色的热稳定性,在较宽的工作温度范围内(从 -55°C 到 +175°C)仍能保持可靠性能。此外,其封装设计紧凑且易于焊接,非常适合表面贴装技术(SMT)应用。

应用

MURS105T3G 主要用于需要高效高频整流的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的续流二极管。
  2. DC-DC 转换器及逆变器电路。
  3. 各类工业控制与通信设备中的高频整流。
  4. 汽车电子系统中的高频整流应用。
  5. LED 驱动电路中的整流功能。

替代型号

MURS120T3G
  MURS140T3G
  MURS160T3G

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MURS105T3G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)875mV @ 1A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 50V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MURS105T3GOSDKR