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MURF1620CTD 发布时间 时间:2025/7/18 18:38:47 查看 阅读:4

MURF1620CTD 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高效率、高电压、双共阴极肖特基势垒整流器。该器件采用先进的肖特基二极管技术,适用于需要快速开关和低正向电压降的应用。MURF1620CTD 采用TO-252(DPAK)封装,适合表面贴装技术(SMT)应用,广泛用于电源转换器、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及各种高频率整流电路中。其双共阴极配置使其在桥式整流和全波整流电路中具有较高的集成度和便利性。

参数

最大重复峰值反向电压: 200V
  最大平均整流电流: 16A
  正向压降(IF=8A时): 最大1.05V
  峰值浪涌电流(8ms单次): 400A
  工作温度范围: -55°C至+175°C
  存储温度范围: -55°C至+175°C

特性

MURF1620CTD 具有以下显著特性:首先,其双共阴极结构设计允许在一个封装中实现两个独立的肖特基二极管,适用于全波整流和桥式整流应用,从而减少外围元件数量并提高电路的可靠性。其次,该器件的低正向压降(在8A电流下最大为1.05V)有助于提高能效,降低功率损耗,这在高电流应用中尤为重要。
  此外,MURF1620CTD 的最大重复峰值反向电压为200V,能够承受较高的反向电压应力,适用于高压整流应用。其高浪涌电流能力(400A)使其在面对瞬态过载和启动电流冲击时仍能保持稳定工作。该器件的TO-252封装具备良好的热性能,有助于快速散热,提高器件在高功率密度环境下的稳定性。
  该器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于宽温度范围的应用场景,如工业控制、汽车电子和通信设备等。MURF1620CTD 的封装方式支持表面贴装工艺,便于自动化生产,提高了制造效率和产品一致性。

应用

MURF1620CTD 主要用于各类电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电池充电器、光伏逆变器和电动车辆的电源管理系统中。由于其高电压、大电流能力和高效率特性,它非常适合用于高频率整流电路,以提升整体系统效率并减少发热。
  在工业自动化和控制系统中,MURF1620CTD 可用于直流电机驱动、电感负载续流以及电源输入保护等电路中。在汽车电子领域,该器件可应用于车载充电系统、DC-DC转换器以及辅助电源模块。此外,在通信设备中,该器件可用于电信整流器、服务器电源模块和数据存储设备的电源管理电路。
  由于其优异的热性能和封装设计,MURF1620CTD 也适用于紧凑型高功率密度电源设计,如嵌入式电源模块和LED照明驱动器等。其表面贴装封装也使其成为自动化生产和高密度PCB布局的理想选择。

替代型号

MURF1620CTG, MURF1620CTR, MURF1660CTD, MURF1640CTD

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