MURD620CTT4G 是一款快速恢复二极管(Fast Recovery Diode),由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该二极管具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特性,非常适合高频开关应用。它广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动器等需要高效能量转换的场景。
型号:MURD620CTT4G
制造商:ON Semiconductor
类型:快速恢复二极管
最大正向电流(Io):6A
最大反向峰值电压(Vr):200V
正向电压降(Vf,典型值):1.1V
反向恢复时间(Trr):35ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220AC
MURD620CTT4G 具有以下显著特性:
1. 快速反向恢复时间(35ns),适合高频应用。
2. 较低的正向电压降(典型值 1.1V),有助于减少功率损耗。
3. 高浪涌能力,能够承受较大的瞬态电流冲击。
4. 工作温度范围广(-55℃ 至 +175℃),适应多种环境条件。
5. TO-220AC 封装形式,易于安装和散热设计。
MURD620CTT4G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的整流和续流功能。
2. 逆变器电路中的高频整流。
3. 电机驱动器中的保护和续流路径。
4. 电源管理模块中的能量转换。
5. 各种工业电子设备中的高频整流与保护。
这款二极管因其出色的性能,在高效率、高频工作的场景中表现出色。
MURD620G, MUR620, STPS6200, FRED620