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MURD620CTT4G 发布时间 时间:2025/5/9 10:53:29 查看 阅读:6

MURD620CTT4G 是一款快速恢复二极管(Fast Recovery Diode),由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产。该二极管具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特性,非常适合高频开关应用。它广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动器等需要高效能量转换的场景。

参数

型号:MURD620CTT4G
  制造商:ON Semiconductor
  类型:快速恢复二极管
  最大正向电流(Io):6A
  最大反向峰值电压(Vr):200V
  正向电压降(Vf,典型值):1.1V
  反向恢复时间(Trr):35ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220AC

特性

MURD620CTT4G 具有以下显著特性:
  1. 快速反向恢复时间(35ns),适合高频应用。
  2. 较低的正向电压降(典型值 1.1V),有助于减少功率损耗。
  3. 高浪涌能力,能够承受较大的瞬态电流冲击。
  4. 工作温度范围广(-55℃ 至 +175℃),适应多种环境条件。
  5. TO-220AC 封装形式,易于安装和散热设计。

应用

MURD620CTT4G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流和续流功能。
  2. 逆变器电路中的高频整流。
  3. 电机驱动器中的保护和续流路径。
  4. 电源管理模块中的能量转换。
  5. 各种工业电子设备中的高频整流与保护。
  这款二极管因其出色的性能,在高效率、高频工作的场景中表现出色。

替代型号

MURD620G, MUR620, STPS6200, FRED620

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MURD620CTT4G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列SWITCHMODE™
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 3A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)3A
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 反向恢复时间(trr)35ns
  • 二极管类型标准
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MURD620CTT4GOSDKR