时间：2025/12/26 3:51:48
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MURB1620CT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的双共阴极肖特基势垒二极管，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用TO-220AC封装，具有低正向压降和快速恢复特性，使其在整流和续流应用中表现出色。MURB1620CT广泛应用于AC-DC和DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、逆变器以及各种需要高效能功率管理的场合。其双二极管结构特别适合用于中心抽头变压器的全波整流电路中，例如在笔记本电脑适配器、电信设备电源模块及工业电源系统中常见使用。该器件能够在高温环境下稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，适用于商业和工业级温度范围内的各类电子设备。
MURB1620CT的设计优化了反向恢复时间与正向压降之间的平衡，在保持较低VF的同时实现了极快的trr性能，从而显著降低了开关损耗并提升了整体电源效率。此外，其封装形式提供了良好的散热路径，有助于将结温控制在安全范围内，延长器件寿命。由于其高性能表现和高性价比，MURB1620CT已成为许多电源设计工程师在中等电流等级下首选的肖特基二极管解决方案之一。
类型：双共阴极肖特基二极管
配置：双二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
最大直流阻断电压（VR）：20V
平均整流电流（IO）：16A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
最大正向压降（VF）：0.57V @ 8A, 125°C
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V, 125°C
典型反向恢复时间（trr）：30ns
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
封装/焊盘：TO-220AC
安装类型：通孔
MURB1620CT的核心优势在于其优异的电学性能与热稳定性相结合，尤其体现在低正向压降与快速开关能力上。该器件的最大正向压降仅为0.57V（在8A和125°C条件下），这意味着在大电流导通状态下功耗极低，有效减少了能量损失并提高了电源系统的整体效率。这一特性对于高密度电源设计尤为重要，因为它不仅降低了对散热系统的要求，还允许在有限空间内实现更高的功率输出。同时，由于采用了先进的肖特基势垒技术，MURB1620CT不存在少子存储效应，因此具备近乎瞬时的开关响应能力，典型反向恢复时间trr仅为30ns，远优于传统PN结二极管，极大地抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统稳定性。
该器件的双共阴极结构非常适合用于全波整流拓扑，特别是在带有中心抽头次级绕组的变压器输出端，可简化电路布局并减少元件数量，提高系统集成度。其额定平均整流电流高达16A，能够满足中高功率电源的需求，而峰值浪涌电流可达150A，展现出强大的瞬态过载承受能力，确保在启动或负载突变情况下仍能可靠运行。此外，MURB1620CT的工作结温范围宽达-65°C至+150°C，支持极端环境下的稳定工作，结合TO-220AC封装提供的优良散热性能，使其可在持续高负载条件下长期运行而不发生热失效。所有这些特性共同构成了一个高效、紧凑且可靠的功率整流解决方案，适用于现代高性能电源设计需求。
MURB1620CT主要应用于各类高频开关电源系统中，包括AC-DC适配器、PC电源、服务器电源模块以及电信和网络设备的供电单元。它特别适用于需要高效低压整流的场景，如笔记本电脑充电器、液晶电视电源板、LED驱动电源等消费类电子产品。在DC-DC转换器中，该器件常被用作同步整流的辅助二极管或作为输出级的续流二极管，以提升转换效率并降低温升。此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业控制电源中也能见到其身影，用于实现高效的能量传递与管理。由于其具备出色的动态响应能力和热稳定性，MURB1620CT也广泛用于电机驱动电路中的箝位保护和回馈能量吸收环节。在汽车电子领域，虽然其非车规级设计限制了在主驱系统中的使用，但在车载信息娱乐系统或辅助电源模块中仍有潜在应用价值。总体而言，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流整流场合，MURB1620CT都是一个极具竞争力的选择。
SRB1620CT
MBRB1620
SSB1620
STPS1620CT
