MUR10060 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高电压、高电流快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)。该器件广泛应用于电源、整流、转换器及逆变器等高功率电路中,具有较高的可靠性与稳定性。MUR10060 采用 TO-220 封装,适用于通孔安装(Through-Hole),能够承受较高的反向电压和较大的正向电流。
最大重复峰值反向电压:600V
最大正向平均整流电流:10A
最大正向压降(IF=10A时):1.55V
最大反向漏电流(VR=600V时):10μA
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
恢复时间(trr):75ns
MUR10060 的主要特性之一是其快速恢复时间(trr),仅为 75ns,使其适用于高频整流和开关电源设计。该器件具有高达 600V 的反向耐压能力,能够承受较高电压应力,适用于各种工业和消费类电源系统。
其次,MUR10060 能够在 10A 正向电流下工作,具备良好的电流承载能力,适用于中高功率整流电路。其正向压降(VF)在额定电流下为 1.55V,能够在高负载条件下保持较低的导通损耗,提高整体能效。
此外,该二极管采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,适用于自然散热或配合散热片使用的电源设计。其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃,适应多种恶劣环境条件,适用于工业控制、电源适配器、UPS(不间断电源)、电动工具、电焊机等多种应用领域。
MUR10060 主要用于高功率整流电路,如开关电源(SMPS)中的整流部分、AC/DC 转换器、DC/DC 转换器、逆变器(Inverters)、不间断电源(UPS)系统、电机驱动、电焊机、电池充电器等。其高反向电压能力和大电流承载能力使其在工业自动化设备、变频器以及高电压电源模块中得到广泛应用。
此外,该器件也适用于需要快速恢复特性的高频电路,如PFC(功率因数校正)电路中的辅助整流、高频变压器次级整流、反激式电源中的输出整流等。由于其高可靠性,也常见于汽车电子系统、新能源发电系统以及智能电网相关设备中。
MUR10060CTR、MUR10060PT、MUR10060T3G、VS-10ETS600-M3、STPS10H60DG、F10C60