MUN5335DW 时间：2025/8/1 18:20:02 阅读：17

MUN5335DW 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管类别。该晶体管专门设计用于高电流开关应用，具有内置偏置电阻的功能，因此常被称为偏置电阻晶体管（Bias Resistor Transistor, BRT）。这种设计可以减少外围电路的元件数量，简化电路设计并提高可靠性。MUN5335DW 采用 SC-70 或 TSSOP 等小型封装形式，适用于便携式设备和高密度电路设计。

参数

晶体管类型：NPN 偏置电阻晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：典型值 100 @ IC=10mA, VCE=5V
　　截止频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MUN5335DW 的主要特性之一是其内置的偏置电阻，这使得晶体管可以直接由逻辑信号驱动，而无需额外的偏置电路。该晶体管的基极和发射极之间集成有一个内部电阻（R1），同时在基极和集电极之间也集成有另一个电阻（R2）。这种结构不仅简化了外部电路设计，还提高了晶体管的稳定性和抗干扰能力。
　　此外，MUN5335DW 具有较高的开关速度和较低的饱和压降（VCE(sat)），使其适用于高频开关和数字逻辑电路。其最大集电极-发射极电压为 50V，最大集电极电流为 100mA，能够满足大多数中低功率开关应用的需求。晶体管的封装形式通常为 SC-70 或 TSSOP，体积小巧，适合用于空间受限的设计，如移动设备和便携式电子产品。

应用

MUN5335DW 主要用于需要高集成度和高稳定性的数字开关电路中。典型应用包括 LED 驱动电路、继电器驱动、逻辑电平转换、电源管理模块、音频放大电路以及微控制器外围电路。由于其内置偏置电阻的特性，它在逻辑电路中常被用作接口器件，将低电压逻辑信号转换为高电压或高电流输出。此外，该晶体管也广泛应用于便携式电子设备的电源控制和负载切换电路中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。在汽车电子领域，MUN5335DW 可用于车身控制模块、仪表盘显示驱动以及传感器接口电路。