您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MUN5330DW1T1G

MUN5330DW1T1G 发布时间 时间:2023/3/29 11:52:38 查看 阅读:967

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 数字晶体管

配置: Dual

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 1 KOhm

典型电阻器比率: 1

封装 / 箱体: SC-70-6

直流电流增益 hFE 最小值: 3 @ 5mA @ 10V

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 0.1 A

峰值直流集电极电流: 100 mA

功率耗散: 187 mW

最大工作温度: + 150℃

封装: Reel

最小工作温度: - 55℃

安装风格: SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

MUN5330DW1T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MUN5330DW1T1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MUN5330DW1T1G产品

MUN5330DW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)1k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)3 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 5mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)