时间：2025/8/13 14:23:41
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MUN5213RT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用，适用于需要中等功率和高频性能的电路。MUN5213RT1 采用 SOT-23 封装，适合表面贴装工艺，广泛用于消费类电子产品、工业控制和通信设备中。
类型：NPN 双极晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
集电极-基极电压（VCBO）：50V
发射极-基极电压（VEBO）：5V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
MUN5213RT1 具有良好的高频响应和较低的饱和电压，使其在开关应用中表现优异。
该晶体管的增益带宽积（fT）可达 100MHz，适用于中高频放大电路。
其 SOT-23 小型封装设计使其非常适合用于高密度 PCB 设计，同时降低了整体电路的体积和重量。
此外，MUN5213RT1 还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种环境条件下的长期运行。
该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺。
MUN5213RT1 主要用于低功率开关电路、信号放大器、接口电路、LED 驱动器、传感器接口以及各种便携式电子设备中的控制电路。
由于其高频性能良好，也常用于射频（RF）前端模块中的小信号放大。
在工业自动化系统中，该晶体管可用于继电器驱动、逻辑电平转换和缓冲器设计。
此外，MUN5213RT1 也广泛用于电池供电设备中的节能开关控制。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A
