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MUN5137T1 发布时间 时间:2025/5/24 12:06:17 查看 阅读:13

MUN5137T1是一款高性能的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。
  这款MOSFET主要用作开关元件或放大器,在电源管理、电机驱动以及负载切换等场景中表现出色。其封装形式通常为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和散热处理。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.9mΩ
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-263

特性

MUN5137T1具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,能够支持大功率应用需求。
  3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
  4. 良好的热稳定性,确保在高温环境下依然保持稳定运行。
  5. 强大的抗静电能力(ESD防护),提高了产品的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

MUN5137T1适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率转换模块。
  5. 各类负载切换和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的驱动与控制单元。

替代型号

MUN5137T1L, MUN5137T1R

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MUN5137T1参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大202mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MUN5137T1OS