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MUN5131 发布时间 时间:2025/4/30 9:09:04 查看 阅读:26

MUN5131是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  MUN5131的主要特点是其优异的电气性能和可靠性,适用于需要高效能和低功耗的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5.2A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:11nC
  输入电容:790pF
  开关时间:ton=8ns, toff=16ns
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

MUN5131具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压,确保在高压条件下的可靠运行。
  4. 小巧的封装尺寸,便于紧凑型设计。
  5. 优秀的热稳定性和耐热能力,支持在极端温度条件下使用。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

MUN5131广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的功率开关。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 各种电池管理系统的开关元件。
  6. 便携式设备中的电源管理模块。

替代型号

MUN5132, MUN5133, IRF540N

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