MUN5116DW1是一款NPN型的小信号晶体管,主要用于高频开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装形式,具有小型化、低功耗的特点,适合于便携式设备和其他对空间要求较高的应用场景。MUN5116DW1的高增益和低饱和电压特性使其在众多电子电路中表现出色。
集电极-发射极电压(Vce):40V
集电极电流(Ic):0.2A
直流电流增益(hFE):100~400
最大功率耗散(Ptot):315mW
过渡频率(fT):400MHz
存储温度范围:-55℃至+150℃
工作结温范围:-55℃至+150℃
MUN5116DW1具备出色的高频性能和稳定的开关特性。
1. 高频响应能力,适用于高频电路设计。
2. 低饱和电压确保了更高的效率和更低的能耗。
3. SOT-23封装体积小,便于在紧凑型电路板上使用。
4. 宽温度范围使其能够在多种环境条件下可靠运行。
5. 高电流增益提高了其在弱信号放大的适用性。
MUN5116DW1广泛应用于各种消费类电子产品和工业设备中。
1. 开关电源中的驱动级或辅助级开关元件。
2. 音频设备中的前置放大器。
3. 射频和无线通信模块中的信号调理电路。
4. 数据通信接口的保护电路。
5. 各种逻辑电平转换电路。
6. 汽车电子系统中的信号处理单元。
MUN5118DW1
MPS2296
MMBT2222A