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MUN5116DW1 发布时间 时间:2025/5/7 13:23:33 查看 阅读:17

MUN5116DW1是一款NPN型的小信号晶体管,主要用于高频开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装形式,具有小型化、低功耗的特点,适合于便携式设备和其他对空间要求较高的应用场景。MUN5116DW1的高增益和低饱和电压特性使其在众多电子电路中表现出色。

参数

集电极-发射极电压(Vce):40V
  集电极电流(Ic):0.2A
  直流电流增益(hFE):100~400
  最大功率耗散(Ptot):315mW
  过渡频率(fT):400MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

MUN5116DW1具备出色的高频性能和稳定的开关特性。
  1. 高频响应能力,适用于高频电路设计。
  2. 低饱和电压确保了更高的效率和更低的能耗。
  3. SOT-23封装体积小,便于在紧凑型电路板上使用。
  4. 宽温度范围使其能够在多种环境条件下可靠运行。
  5. 高电流增益提高了其在弱信号放大的适用性。

应用

MUN5116DW1广泛应用于各种消费类电子产品和工业设备中。
  1. 开关电源中的驱动级或辅助级开关元件。
  2. 音频设备中的前置放大器。
  3. 射频和无线通信模块中的信号调理电路。
  4. 数据通信接口的保护电路。
  5. 各种逻辑电平转换电路。
  6. 汽车电子系统中的信号处理单元。

替代型号

MUN5118DW1
  MPS2296
  MMBT2222A

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