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MUN5112T1 发布时间 时间:2025/6/16 10:18:09 查看 阅读:4

MUN5112T1是一款NPN型小信号晶体管,通常用于放大和开关应用。该晶体管采用TO-92封装形式,具有较低的饱和电压和较高的增益特性,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
  其设计特点包括高电流增益、快速开关能力和良好的热稳定性,适用于低功率信号处理和驱动电路。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极最大电流:200mA
  集电极-基极反向电压:60V
  功耗:310mW
  直流电流增益(hFE):100~400
  过渡频率:150MHz
  存储温度范围:-55℃~150℃

特性

MUN5112T1晶体管具备以下主要特性:
  1. 高电流增益:其hFE值在100至400之间,确保了高效的信号放大能力。
  2. 快速开关性能:150MHz的过渡频率使其能够适应高频应用场景。
  3. 低饱和电压:在开关模式下,该器件可以实现较低的功耗。
  4. 热稳定性强:能够在较宽的温度范围内可靠工作,适合各种环境条件下的应用。
  5. 小型封装:TO-92封装体积小巧,便于PCB布局和散热设计。

应用

MUN5112T1适用于多种场景:
  1. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  2. 工业自动化系统中的传感器信号调理。
  3. 通信设备中的脉冲调制和解调电路。
  4. 开关电源中的辅助驱动级。
  5. LED驱动及小型继电器驱动等低功率开关应用。

替代型号

MUN5112T, 2SC1815, BC847

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MUN5112T1产品

MUN5112T1参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Single
  • 晶体管极性PNP
  • 典型输入电阻器22 KOhms
  • 典型电阻器比率1
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SC-70-3
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO50 V
  • 集电极连续电流0.1 A
  • 峰值直流集电极电流100 mA
  • 功率耗散202 mW
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量3000