时间：2025/5/9 9:39:42
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MUN5111DW1T1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，属于英飞凌 CoolGaN 系列。该器件采用常闭型增强模式 GaN 晶体管设计，具备出色的开关性能和低导通电阻特性，适用于高频、高效率的电源转换应用。其封装形式为 WSON8 封装，支持紧凑型设计并优化了散热性能。
该器件广泛应用于消费电子、工业电源、数据中心供电以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：120mA
导通电阻：300mΩ
栅极阈值电压：1.7V~3.5V
输入电容：940pF
开关速度：高达10MHz
工作温度范围：-55℃~+150℃
MUN5111DW1T1G 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更高的开关频率。
2. 增强模式设计确保器件在正常操作条件下默认关闭，提升安全性。
3. 支持高频开关，适合各种 DC-DC 转换器拓扑结构，例如 LLC 谐振、反激式等。
4. 内置 ESD 保护功能以提高可靠性。
5. 小型化的 WSON8 封装节省 PCB 空间，同时优化热传导路径。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款 GaN 功率晶体管适用于多种高性能应用场景，例如：
1. USB-PD 充电器和其他便携式设备快速充电解决方案。
2. 数据中心和服务器中的高效 AC-DC 和 DC-DC 电源转换。
3. LED 驱动器及适配器设计。
4. 工业自动化系统内的高频电源模块。
5. 汽车电子领域中的车载充电器和 DC-DC 转换器。
MUN5111GW1T1G
MUN5112DW1T1G
