类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　基极电流（Ib）：5mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　电流增益（hFE）：110（最小）至800（最大），根据工作电流不同而变化
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小）
　　封装类型：SOT-23

MUN2211RLT1 是一款高性能的NPN晶体管，具备优异的电气特性和可靠性。其主要特性之一是高电流增益（hFE），可在不同的集电极电流条件下提供稳定的放大性能。这使得该晶体管在低频放大器和开关电路中表现出色。
　　此外，该器件的过渡频率（fT）高达100MHz，使其适用于中高频应用，如射频（RF）信号放大和处理。晶体管的集电极-发射极击穿电压为30V，能够承受一定的电压波动，提高了电路的稳定性。
　　该晶体管的SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能，能够在高温环境下正常工作。这种封装形式非常适合自动化装配和表面贴装工艺，降低了制造成本并提高了生产效率。
　　MUN2211RLT1 的最大功耗为300mW，在低功耗设计中具有优势，适用于电池供电设备和便携式电子产品。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的可靠运行，使其适用于工业控制和汽车电子等严苛应用场景。
　　总体而言，MUN2211RLT1 是一款多功能、高可靠性的NPN晶体管，广泛适用于各种电子设计中。

MUN2211RLT1 主要应用于低频放大器、开关电路、信号处理电路、电源管理模块、传感器接口电路以及音频设备。由于其高增益和良好频率响应特性，它也常用于射频（RF）放大和无线通信模块。此外，该晶体管在汽车电子系统、工业控制系统和消费类电子产品中均有广泛应用。

BC547, 2N3904, MMBF2222A