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MUN2211JT1G 时间：2023/10/27 16:07:34 阅读：95

产品种类: 数字晶体管

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 10 KOhm
典型电阻器比率: 1
封装 / 箱体: SC-59(Pb-Free)
直流电流增益 hFE 最小值: 35 @ 5mA @ 10V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 100 mAdc
峰值直流集电极电流: 100 mA
功率耗散: 338 mW
最大工作温度: + 150℃

封装: Reel
最小工作温度: - 55℃

安装风格: SMD/SMT

MUN2211JT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

MUN2211JT1G
深圳市金灿利电子科技有限公司
4785
ON
2023+/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市顺鑫晟科技有限公司
500000
ON
2022+/SC59EUTPB

MUN2211JT1G
深圳市英德州科技有限公司
6210
onsemi
23+/SC59

MUN2211JT1G
深圳中和芯电子有限公司
65428
ON
22+/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市科锐源电子科技有限公司
5000
ON
05+/SOT23

MUN2211JT1G
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
ON/安森美
23+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市集好芯城科技有限公司
9414
ON/安森美
22+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市辉华拓展科技有限公司
13980
ON/安森美
21+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市辉华拓展科技有限公司
18652
ON
-/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市科翼源电子有限公司
3430
ON
24+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市汇芯诚电子科技有限公司
3485
ON
05+/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市念芯电子有限公司
5915
ON
05+/SOT23

MUN2211JT1G
北京南电科技发展有限公司
490
onsemi
-/CPH3

MUN2211JT1G
深圳市金灿利电子科技有限公司
168000
ON/安森美
23+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市得捷芯城科技有限公司
5680
ON/安森美
23+/NA/

MUN2211JT1G
深圳市华斯顿科技有限公司
16500
ON
2322+/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市莱多米科技电子有限公司
2430
ON/安森美
0429+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市万佳电子贸易有限公司
9400
ON
23+/SOT23

MUN2211JT1G
深圳市华美锐电子有限公司
52701
ON/安森美
22+/SOT233

MUN2211JT1G
深圳市腾桩电子有限公司
4785
ON
2023+/SOT23

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IC词条百科

MUN2211JT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列-
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）10k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）500nA
频率 - 转换-
功率 - 最大2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装SC-59
包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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