时间：2025/9/3 16:47:04
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MUN2211是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的双极型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个NPN晶体管。这款器件专为需要高增益、高频率响应和高稳定性的应用而设计，适用于多种电子电路中的信号放大和开关功能。MUN2211采用了SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的电路中使用。
类型：NPN双极型晶体管阵列
封装类型：SOT-23
最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：300mW
电流增益（hFE）：110-800（取决于工作条件）
最大频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
MUN2211的主要特性之一是其高电流增益能力，这使得它非常适合用于低噪声放大器和高灵敏度开关电路。该器件的hFE值可以根据工作条件在110到800之间变化，从而提供了灵活的设计选择。此外，MUN2211具有良好的高频性能，其特征频率（fT）可达100MHz，这意味着它可以在高频应用中稳定工作。
另一个显著的特点是其紧凑的SOT-23封装形式，这种封装不仅节省空间，而且易于进行表面贴装焊接，适合现代电子产品的自动化生产需求。该器件的热性能也经过优化，能够在较高温度下稳定运行，其最大工作温度可达到+150°C。
MUN2211的两个NPN晶体管在制造过程中被设计为高度匹配的对管，这意味着它们在电气特性上具有很高的相似性。这一特性使得MUN2211特别适合用于需要对称性能的差分放大电路、振荡器和其他需要匹配晶体管对的应用中。
MUN2211广泛应用于需要高性能双极型晶体管的电子电路中。由于其高增益和高频响应，MUN2211常用于射频（RF）和中频（IF）放大器的设计。此外，该器件也适用于低噪声前置放大器、信号处理电路和模拟开关电路。
在数字电路中，MUN2211可以用于构建高速逻辑门和缓冲器。由于其两个晶体管具有高度匹配的电气特性，它也常用于差分放大器和比较器等需要对称性能的电路中。此外，MUN2211还可以用于传感器接口电路，为传感器信号提供必要的放大和调理功能。
该器件的高稳定性和耐温性能使其在工业控制、汽车电子和通信设备中都有广泛的应用。例如，在汽车电子系统中，MUN2211可以用于信号处理和控制电路；在通信设备中，它可以用于构建射频前端模块和信号放大电路。
MUN2211DW1, MUN2211T1, MUN2211T1G
