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MUN2111T3 发布时间 时间:2023/10/27 16:05:35 查看 阅读:92

产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
配置: Single
晶体管极性: PNP
典型输入电阻器: 10 KOhm
典型电阻器比率: 1
封装 / 箱体: SC-59-3
直流电流增益 hFE 最小值: 35 @ 5 mA @ 10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V
集电极连续电流: 0.1 A
峰值直流集电极电流: 100 mA
功率耗散: 230 mW
最大工作温度: + 150℃

封装: Reel
最小工作温度: - 55℃

安装风格: SMD/SMT

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MUN2111T3参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大230mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SC-59
  • 包装带卷 (TR)