您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MUBW30-12A6

MUBW30-12A6 发布时间 时间:2023/10/27 16:04:30 查看 阅读:180

类别:半导体模块

目录

概述

类别:半导体模块
家庭:IGBTs
IGBT 类型:NPT
配置:三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.6V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):31A
电流 - 集电极截止(最大):1mA
Vce 时的输入电容 (Cies):1nF @ 25V
功率 - 最大:104W
输入:三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装
封装/外壳:E1

MUBW30-12A6推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MUBW30-12A6资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MUBW30-12A6参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 配置三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.6V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)31A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)1nF @ 25V
  • 功率 - 最大104W
  • 输入三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E1
  • 供应商设备封装E1