MU9C1480B-70TAC 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和功率放大等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压以及快速开关速度的特点。其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合在紧凑型设计中使用。
该型号属于 N 沱道增强型 MOSFET,适用于各种消费电子、工业控制和通信设备中的电源管理模块。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:14.8A
导通电阻:3.6mΩ
栅极电荷:36nC
开关时间:t_on=15ns, t_off=18ns
结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻(3.6mΩ),能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,可有效减少开关损耗,并支持高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小巧的 TO-252 封装节省了 PCB 空间,同时提供了良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽广(-55℃ 至 +150℃),适应多种恶劣环境的应用需求。
这些特点使得 MU9C1480B-70TAC 成为许多高效能电源转换器和电机驱动电路的理想选择。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器,包括降压、升压及正弦波逆变电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
4. 电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
5. 各类保护电路,例如过流保护、短路保护等。
由于其低导通电阻和高效率表现,该器件特别适合需要节能和小型化设计的场合。
IRFZ44N, FDP140N07SBD, STP140NF07L