MU6-38RHTK 时间：2025/8/30 10:06:09 阅读：15

MU6-38RHTK 是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽式栅极技术，提供高效的功率处理能力和较低的导通电阻。这款MOSFET适用于需要高效能和高可靠性的应用，如电源转换器、马达驱动器、电池管理系统等。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热性能和紧凑的设计，适合高密度电路布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装：PowerFLAT 5x6

特性

MU6-38RHTK 采用STMicroelectronics的最新沟槽式栅极技术，确保了极低的导通电阻，并在高电流条件下保持良好的热稳定性。该器件具备高耐压能力，漏源电压可达30V，适用于各种中高功率应用。其先进的封装技术提供了优异的散热性能，使器件在高负载下也能保持稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备高抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定，提升了系统的整体可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，适用于多种驱动器IC的兼容性设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适合绿色电子产品的设计需求。
　　由于其低导通损耗和开关损耗，MU6-38RHTK在DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等应用中表现出色，可有效提升系统效率并降低整体功耗。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具备优异的热管理和空间利用率，适合紧凑型设计和高功率密度应用。

应用

MU6-38RHTK 主要应用于高性能电源管理系统，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电池充电器、DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路。其优异的导通特性和热管理能力，也使其成为工业自动化设备、电动工具和电动汽车相关系统的理想选择。此外，该器件适用于高效率的同步整流电路，在电源转换器中可显著提升整体能效。由于其具备良好的抗瞬态过压能力，该MOSFET在高可靠性要求的汽车电子系统中也得到了广泛应用，如车载充电器和电动助力转向系统。