类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：14A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

MU14-10FLK 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少在高电流应用中的功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具有较高的耐压能力，能够在高达 100V 的电压下正常工作，适用于多种电源管理应用。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定性能。其 TO-252 封装形式不仅节省空间，还便于散热，适合在高密度 PCB 设计中使用。
　　MU14-10FLK 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的输入，使其能够与多种控制电路兼容。此外，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。
　　该 MOSFET 还具备较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业控制、汽车电子、电源管理系统等多种应用场景。

MU14-10FLK 主要应用于需要高侧开关和负载开关功能的电路中，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制器、工业自动化设备和汽车电子系统等。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理解决方案。
　　在汽车电子领域，MU14-10FLK 可用于车身控制模块、车载充电系统和电动助力转向系统等应用。在工业控制方面，该器件可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和电源分配系统等设备。
　　由于其表面贴装封装，MU14-10FLK 也适用于自动化生产流程，能够提高生产效率并降低制造成本。

Si4410BDY-E3-GEVB, IRF9Z24N, FDPF14N10A