MU10BCX 是一款由 Microchip Technology 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要用于高功率开关应用,如 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制以及负载开关等。其设计旨在提供高效的开关性能和较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):10A(在 25°C)
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.45Ω @ VGS=10V
栅极电荷(Qg):18nC
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
MU10BCX 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗,从而提高整体效率。此外,该器件具有较高的耐压能力,最大漏源电压(VDS)为 60V,使其适用于中高功率的电源转换应用。其栅极电荷(Qg)值较低,有助于实现快速开关,减少开关损耗。
该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于表面贴装技术(SMT)的生产工艺,便于集成在现代电子设备中。同时,其宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在恶劣的环境条件下稳定工作。
此外,MU10BCX 的栅源电压(VGS)允许高达 ±20V,提供更强的栅极驱动能力,确保器件在不同工作条件下都能保持稳定运行。
MU10BCX 常用于多种电源管理及功率控制应用中。在 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为主开关元件,实现高效的电压转换,适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等电源系统。在电机控制电路中,MU10BCX 可用于 H 桥结构中的开关元件,提供快速、可靠的功率切换能力。
此外,该器件也广泛应用于负载开关电路中,如电池管理系统、智能电源管理模块等,其低导通电阻特性有助于减少功耗,提高系统续航能力。由于其封装形式适用于表面贴装工艺,因此也常见于自动化生产制造的工业控制设备和消费类电子产品中。
在电源适配器、LED 驱动电源、UPS(不间断电源)等应用中,MU10BCX 也能发挥出色的开关性能和稳定性,满足高效率、高可靠性电源设计的需求。
IRFZ44N, FDPF10N60, Si4446DY, NTD10N06L