MTZJT-7213B是一种高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和快速开关的特点,能够在高频工作条件下保持良好的性能。
该型号主要针对中高电压应用场合设计,适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中的功率转换和调节电路。
型号:MTZJT-7213B
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):700V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):13A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
功耗(PD):180W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
MTZJT-7213B具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:其700V的最大漏源电压使其能够胜任高压环境下的功率切换任务。
2. 低导通电阻:0.5Ω的Rds(on)保证了在大电流工作时较低的功耗损失。
3. 快速开关性能:优化的内部结构使得开关速度更快,从而提高了整体工作效率。
4. 强大的散热能力:采用TO-247封装形式,能有效散发运行过程中产生的热量。
5. 宽广的工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的结温范围,适应多种极端环境。
该型号适用于广泛的领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)设计,特别是需要高电压输入的应用。
2. 各种类型的电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
MTZJT-7213A, IRF840, STP70NF7