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MTZJT-7213B 发布时间 时间:2025/5/22 0:31:17 查看 阅读:8

MTZJT-7213B是一种高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高效率和快速开关的特点,能够在高频工作条件下保持良好的性能。
  该型号主要针对中高电压应用场合设计,适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品中的功率转换和调节电路。

参数

型号:MTZJT-7213B
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):700V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):13A
  导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
  功耗(PD):180W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

MTZJT-7213B具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力:其700V的最大漏源电压使其能够胜任高压环境下的功率切换任务。
  2. 低导通电阻:0.5Ω的Rds(on)保证了在大电流工作时较低的功耗损失。
  3. 快速开关性能:优化的内部结构使得开关速度更快,从而提高了整体工作效率。
  4. 强大的散热能力:采用TO-247封装形式,能有效散发运行过程中产生的热量。
  5. 宽广的工作温度范围:支持从-55℃到+175℃的结温范围,适应多种极端环境。

应用

该型号适用于广泛的领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计,特别是需要高电压输入的应用。
  2. 各种类型的电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机等。
  3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与保护功能。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

MTZJT-7213A, IRF840, STP70NF7

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MTZJT-7213B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装带盒(TB)
  • 产品状态停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)13 V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)25 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 nA @ 10 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AG,DO-34,轴向
  • 供应商器件封装MSD