类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000V
　　漏极电流（ID）：14A
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.5Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

MTY14N100E 具备多项优良特性，首先其高耐压能力（1000V）使其在高压电源变换器、开关电源、电机控制等应用中表现出色。该器件的导通电阻较低，典型值为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，MTY14N100E的栅极电压范围为±30V，具有较强的抗过压能力，能够适应较宽范围的驱动电路设计需求。该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适合用于对可靠性要求较高的工业设备。
　　TO-220封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装和维护，适合在各种电源模块和功率电路中使用。MTY14N100E还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的体积，提高整体系统的功率密度。

MTY14N100E 主要应用于各种高压功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、LED驱动电源、工业自动化控制设备以及家电产品中的功率控制模块。由于其高耐压和较大的电流承载能力，该MOSFET也常用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电焊机等高功率设备中。
　　在电机控制领域，MTY14N100E可用于直流电机、步进电机和无刷电机的驱动电路，提供高效稳定的开关控制。在电源管理系统中，该器件可作为主开关管或辅助开关管使用，适用于AC/DC和DC/DC转换器设计。

建议参考型号：STP14N100、FGL40N100、14N100。