MTW6N100E 时间：2025/12/29 15:05:52 阅读：12

MTW6N100E是一款由Microsemi（现为Littelfuse旗下公司）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有高性能的导通特性和快速的开关速度，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统等场合。MTW6N100E采用了TO-247封装，便于散热，适用于高电流和高电压的应用环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1000V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

MTW6N100E具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于高电压和高功率的应用环境。首先，其高达1000V的漏源电压（VDS）使其适用于高压电源系统，如开关电源、逆变器和工业电机驱动器。其次，6A的连续漏极电流能力，结合较低的导通电阻（RDS(on)）（最大2.5Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐久性，TO-247封装设计有助于有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其±30V的栅源电压容限提高了在高频开关应用中的可靠性，减少了因栅极过压而导致的损坏风险。
　　MTW6N100E还具备快速开关特性，适合用于高频率开关电路，如PWM控制器和DC-DC转换器。这不仅有助于减小外部滤波元件的尺寸，还能提升系统的整体响应速度和效率。最后，其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种严苛环境，包括工业控制、汽车电子和户外设备。

应用

MTW6N100E广泛应用于多种高电压、高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业电机驱动器、光伏逆变器以及高电压电池管理系统。此外，由于其具备较高的电压和电流承受能力，也适用于高频电源转换器和功率因数校正（PFC）电路。在汽车电子领域，MTW6N100E可用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。由于其良好的热稳定性和封装散热设计，该器件也非常适合用于需要长期稳定运行的工业控制系统。