MTVA0400N09W3 时间：2025/8/23 10:28:29 阅读：6

MTVA0400N09W3 是一款由 MagnaChip 生产的高功率 N 沟道 MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。这款 MOSFET 设计用于在高电压和大电流条件下提供优异的性能，适用于诸如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理模块等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：90V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大漏极电流 (Id)：120A（在 25°C）
　　导通电阻 (Rds(on))：4.0mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

MTVA0400N09W3 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流条件下最小的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了更高的电流承载能力和更好的热稳定性。此外，MTVA0400N09W3 的封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率密度条件下稳定运行。
　　另一个显著的特性是其高可靠性。该 MOSFET 在高温环境下表现出色，能够在高达 175°C 的结温下正常工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。同时，其栅极氧化层设计提供了良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保器件在突发条件下的稳定运行。
　　MTVA0400N09W3 还具备良好的封装兼容性，TO-263 封装形式使其易于集成到现有的 PCB 设计中，并且可以通过标准的表面贴装工艺进行安装，降低了生产成本并提高了制造效率。

应用

MTVA0400N09W3 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电源管理系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理模块。由于其优异的导通性能和热稳定性，该器件也常用于高功率 LED 照明系统、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）等绿色能源解决方案。