MTR28515TF 时间：2025/5/8 17:50:22 阅读：21

MTR28515TF 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合在高频开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中使用。
　　其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能和电气连接可靠性。MTR28515TF广泛用于工业控制、消费类电子及通信设备领域。

参数

最大漏源电压：150V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：4.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压：2.5V~4.5V
　　输入电容：1040pF（典型值）
　　总功耗：165W
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

MTR28515TF 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够减少功率损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频应用，从而降低电磁干扰并缩小电路尺寸。
　　3. 高雪崩能量耐受能力，提升器件在过载条件下的鲁棒性。
　　4. 提供了可靠的静电防护功能，防止因ESD损坏器件。
　　5. 符合RoHS标准，确保环保要求。
　　6. TO-263封装具备出色的散热性能，适合高功率应用环境。

应用

MTR28515TF 可应用于多种场合，包括但不限于：
　　1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器的功率开关元件。
　　3. 负载开关，用于保护后级电路免受异常电流影响。
　　4. 工业电机驱动和逆变器设计中的关键组件。
　　5. 消费类电子产品中的电源管理单元。
　　6. 在汽车电子系统中作为高边或低边开关使用。