类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.045Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

MTP8P10AF 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。这使得该器件非常适合用于高频率开关应用，如 DC-DC 转换器和电机控制器。
　　其次，该 MOSFET 的漏源电压额定值为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。其栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制能力，并兼容常见的驱动电路设计。
　　此外，MTP8P10AF 采用 TO-220AB 封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。该封装形式也便于在 PCB 上安装和散热片连接，适用于需要高效散热的应用场景。
　　器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在极端工作条件下保持可靠性。这使其非常适合用于工业控制、电源适配器、电池管理系统和负载开关等应用场景。

MTP8P10AF 适用于多种电源管理和功率控制应用。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于逆变器、UPS（不间断电源）以及消费类电子产品的电源管理模块中。
　　由于其高耐压能力和低导通电阻，MTP8P10AF 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计。例如，在电动车充电系统、太阳能逆变器以及工业电机控制中，该器件能够提供稳定的功率开关性能。
　　在实际应用中，该 MOSFET 可以搭配合适的驱动电路和保护电路使用，以确保在各种工作条件下都能安全可靠地运行。

IRFZ44N, FDP8870, STP80NF10, FQP8N10