型号：MTP7N20
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8Ω @ Vgs=10V, Id=3.5A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：115pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：34ns
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

MTP7N20具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是高耐压与低导通电阻的结合，使其在200V级别的功率应用中能够实现较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。该器件采用先进的平面栅极技术，优化了载流子迁移路径，有效降低了Rds(on)，同时提高了器件的电流处理能力。其输入电容和输出电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗和能量损耗，特别适合高频开关应用，如开关模式电源（SMPS）和DC-DC变换器。此外，MTP7N20具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下维持正常工作，避免因电压尖峰导致的器件损坏，从而提高系统的可靠性。
　　该MOSFET的栅极结构设计合理，栅源阈值电压在2.0V至4.0V之间，确保了与常见控制IC的良好兼容性，既可由标准逻辑电平驱动，也可通过专用驱动电路实现高效控制。其封装形式为TO-220F，具备良好的散热性能，可通过外接散热片进一步降低热阻，延长器件使用寿命。在高温环境下，MTP7N20仍能保持稳定的电气特性，结温最高可达150°C，适用于工业级严苛环境。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，在感性负载切换时可提供必要的电流回路，减少外部元件数量。
　　在制造工艺方面，MTP7N20遵循严格的质量控制流程，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，可用于部分车载电子系统。其无铅封装设计满足RoHS和REACH环保指令要求，支持现代绿色电子产品的设计需求。总体而言，MTP7N20凭借其高耐压、低损耗、高可靠性和广泛的工作温度范围，成为中小功率电力电子系统中理想的开关元件选择。

MTP7N20广泛应用于各类中等功率的电力电子设备中，典型应用场景包括离线式开关电源（如AC-DC适配器、充电器）、DC-DC升压或降压转换器、光伏逆变器中的辅助电源模块、LED照明驱动电源以及小型电机控制电路。由于其200V的额定电压，特别适合用于通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的反激式或正激式电源拓扑中，作为主开关管使用。在照明领域，MTP7N20可用于电子镇流器或LED恒流驱动电路，实现高效稳定的光输出控制。
　　在工业控制方面，该器件可用于PLC输出模块、继电器驱动或电磁阀控制，利用其快速开关特性实现精确的时序控制。此外，在消费类电子产品如电视、音响、路由器等内置电源中，MTP7N20也常被用作主控开关管，以提升能效并满足能源之星等能效认证要求。在太阳能系统中，该器件可用于MPPT控制器或小型逆变器的功率级，帮助实现高效的能量转换。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，MTP7N20也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载充电器或DC-DC转换模块，适应车辆运行中的电压波动和温度变化。

SPW20N20C3, FQP7N20L, STP7NK20ZFP, IRF7N20D}}