MTP75N05HD 时间：2025/6/18 11:18:55 阅读：4

MTP75N05HD是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效率、低损耗和快速开关的场景。其设计旨在提供出色的导通电阻和开关性能，适用于各种电源管理和电机驱动应用。
　　MTP75N05HD采用了先进的半导体制造工艺，确保了在高频和高压条件下的稳定性和可靠性。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优化的栅极电荷（Qg），从而提升了整体系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds)：50V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：39nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：2260pF（典型值）
　　总功耗(Ptot)：360W
　　工作温度范围(Tj)：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

MTP75N05HD的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗。
　　2. 高电流处理能力，支持高达75A的连续漏极电流。
　　3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
　　4. 先进的热设计，确保器件能够在高温条件下可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 提供优异的雪崩击穿能力和耐用性，增强了系统的安全性和稳定性。
　　7. 封装坚固耐用，便于散热管理。

应用

该器件广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
　　2. 直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流。
　　3. 工业电机驱动和控制电路。
　　4. 电动工具和家电的逆变器模块。
　　5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源系统。
　　6. 汽车电子设备，如启动电机和负载切换。
　　7. 高效照明系统的镇流器和调光器。