类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK（取决于具体型号变体）

MTP75N03L 具有以下显著特性：
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，这种特性尤为重要，因为它有助于减少发热并提高系统可靠性。
　　其次，该 MOSFET 支持高栅源电压（±20V），具有较强的抗电压冲击能力，从而提高了器件在恶劣工作环境下的稳定性。
　　此外，MTP75N03L 具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流下可达 75A，适合用于高功率负载的控制。
　　在热性能方面，该器件的封装设计有助于高效散热，使其能够在较高的功率水平下稳定运行。TO-220 和 DPAK 等封装形式也便于安装和散热管理，适应不同的 PCB 设计需求。
　　最后，该 MOSFET 的开关速度较快，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这种特性在高频开关电源和 DC-DC 转换器中尤为重要。

MTP75N03L 主要应用于以下领域：
　　在电源管理系统中，它常用于同步整流、负载开关和电池管理电路，提供高效的功率控制。
　　在 DC-DC 转换器中，MTP75N03L 可作为主开关或同步整流器，用于提高转换效率并减小电源模块的体积。
　　在电机控制和驱动电路中，该器件可用于 H 桥结构，实现对电机的正反转控制和能耗制动。
　　此外，该 MOSFET 还广泛应用于电池充电器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和高功率 LED 驱动器中。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，MTP75N03L 也适用于汽车电子系统，如车载充电系统、电动助力转向系统和车载逆变器。

IRF7530, NTD75N03R, FDP7530, Si7453DP, AO4407