MTP5N35 时间：2025/8/25 7:32:01 阅读：6

MTP5N35 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于诸如电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。MTP5N35 采用 TO-220 封装形式，具备良好的热性能和高耐用性，能够承受较高的工作电压和电流。该 MOSFET 的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：350 V
　　最大栅源电压 Vgs：±30 V
　　最大连续漏极电流 Id：5.0 A
　　导通电阻 Rds(on)：2.0 Ω（典型值）
　　功率耗散 Pd：60 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MTP5N35 具备多项优异的电气和热性能，适用于多种电源管理应用。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 350 V，可承受较高的电压应力，适用于中高功率开关电路。其最大连续漏极电流为 5.0 A，能够满足多种负载需求。
　　其次，MTP5N35 的导通电阻 Rds(on) 典型值为 2.0 Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率，特别是在高频开关应用中效果显著。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 或 12V 驱动电压，兼容多种驱动电路设计。其栅源电压最大可达 ±30 V，具备良好的抗过压能力。
　　MTP5N35 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合在较高环境温度下稳定工作。该封装形式也便于安装和散热片连接，提高系统的可靠性。
　　最后，该器件的热阻较低，确保在高功耗条件下仍能保持良好的工作温度，延长使用寿命。

应用

MTP5N35 广泛应用于多种电力电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它可用作主开关器件，实现高效率的能量转换。例如，在 AC-DC 电源适配器、离线式电源和 LED 驱动电源中，MTP5N35 可以作为功率开关，提供稳定的输出电压和电流。
　　此外，MTP5N35 也适用于 DC-DC 转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Flyback）拓扑结构。其低导通电阻和高耐压能力使其在高频开关环境下表现出色，有助于减小系统尺寸并提高效率。
　　在电机控制和负载开关应用中，MTP5N35 可作为功率开关，控制电机或负载的启停。其高耐压和良好的热性能确保系统在恶劣工作环境下依然稳定可靠。
　　同时，该器件也可用于电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径，确保电池组的安全运行。