MTP50N05EW 时间：2025/9/3 0:38:26 阅读：9

MTP50N05EW 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高效率的电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗，提高系统效率。MTP50N05EW 封装形式为 TO-252（DPAK），适用于表面贴装技术（SMT），便于在各种电子设备中集成。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）: 50A
　　漏源极电压（VDS）: 50V
　　栅源极电压（VGS）: ±20V
　　导通电阻 Rds(on): 最大 0.017Ω（在 VGS=10V）
　　功率耗散（PD）: 160W
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C

特性

MTP50N05EW 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。该 MOSFET 具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠工作。此外，MTP50N05EW 还具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
　　该器件采用了先进的封装技术，TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 上安装和焊接。MTP50N05EW 的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 20V 之间，兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。此外，该 MOSFET 内部集成了体二极管，能够在反向电流流动时提供保护，适用于需要续流功能的应用场景。
　　由于其高性能特性，MTP50N05EW 可广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理、负载开关以及汽车电子系统中。

应用

MTP50N05EW 常用于需要高电流和低导通损耗的功率应用中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业电源设备。由于其高效率和良好的热性能，该 MOSFET 特别适合用于高密度电源设计和高功率密度系统。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块中，MTP50N05EW 也能提供可靠的功率控制和管理功能。