时间：2025/9/2 22:32:33
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MTP50N04V是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高效率的电源管理应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电系统等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：50A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.017Ω（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
MTP50N04V具有多个关键特性，使其在功率电子设计中备受青睐。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET具备高电流承载能力，能够在大负载条件下稳定运行。此外，MTP50N04V采用了先进的封装技术，增强了热管理和散热性能，使得该器件在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。最后，MTP50N04V具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用领域。
MTP50N04V广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于：DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备的电源模块、电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的车载充电系统等。
IRF540N, FDP50N04, STP50NF04, NTD50N04R
