MTP3N40 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的工艺技术,具有良好的热稳定性和高效率,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及其他需要高功率密度的工业和消费类电子设备。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):400V
最大漏极电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约12nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MTP3N40 的主要特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压可达 400V,这使其适用于高压电源转换应用。其导通电阻较低,通常在 2.5Ω 左右,能够在高电流条件下保持较低的导通损耗,从而提高整体效率。
此外,MTP3N40 具有良好的热性能,封装设计有助于快速散热,确保在高温环境下依然能够稳定运行。该器件的栅极电荷较低,约为 12nC,使得其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗。
该 MOSFET 还具备较强的抗雪崩能力,能够在瞬态过压情况下提供一定的保护,增强系统的可靠性和耐用性。MTP3N40 通常采用 TO-220 或 DPAK 等标准封装形式,便于在各种 PCB 设计中使用。
MTP3N40 广泛应用于各类功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动器、照明控制系统(如 LED 驱动器)、电池充电器等。由于其高电压和中等电流能力,该器件特别适合用于中功率级别的开关应用。
在工业自动化和控制系统中,MTP3N40 可用于控制继电器、电磁阀和小型电机。在消费类电子产品中,如电视电源、音响设备和家用电器中,该 MOSFET 也常用于电源管理和负载开关控制。
此外,该器件也可用于逆变器和不间断电源(UPS)系统中,作为关键的功率开关元件,实现高效的能量转换。
FQP3N40、IRF730、STP3NA40FI、SiHP3N40