MTP10N25 是一款由 Microchip Technology 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电源管理和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流容量,适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏极电流(ID):10A
漏源电压(VDS):250V
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.65Ω(最大0.85Ω)
功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
MTP10N25 具有优异的电气性能和可靠性,适合在高电压和高电流条件下工作。其低导通电阻特性可以有效降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具备较高的热稳定性和抗过载能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。MTP10N25 的栅极驱动电压范围较宽,通常在 4V 至 10V 之间即可实现充分导通,这使得它能够与多种驱动电路兼容。
该 MOSFET 采用 TO-220 封装,具有良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。其封装结构也便于安装在散热片上,以进一步提高热管理能力。MTP10N25 的制造工艺确保了其在高温下的稳定性和长期可靠性,适合用于工业级和汽车电子应用。
从电气特性来看,MTP10N25 的漏源击穿电压高达 250V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。同时,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高电源系统的效率。该器件还具备较低的栅极电荷(Qg),使得驱动电路的设计更加简单高效。
MTP10N25 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,它也可用于汽车电子系统中的电源管理单元,如车载充电器和逆变器。由于其优异的性能和可靠性,MTP10N25 也被广泛用于消费类电子产品中的高效电源解决方案。
IRF740、FQP10N25、STP10NM50、SiHF10N25