MTNN20N03Q8 时间：2025/4/28 13:39:06 阅读：3

MTNN20N03Q8 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，适用于多种电力电子应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频和高效率的条件下工作。
　　MTNN20N03Q8 通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率转换的应用中。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：19nC（典型值）
　　输入电容：1240pF（典型值）
　　开关速度：快速开关
　　功耗：取决于散热条件

特性

MTNN20N03Q8 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
　　3. 出色的热稳定性和可靠性，能够适应苛刻的工作条件。
　　4. 小巧的封装设计，便于 PCB 布局优化。
　　5. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
　　3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
　　5. 照明系统中的 LED 驱动器。
　　6. 各种功率管理模块中的功率开关元件。